并且针对Intel Xeon系列处理器进行了特别优化_富拓mt5Nikkei Asian Review、BusinessKorea报道，正在DRAM墟市，三星工艺造程领先敌手1~2年，2016年下半年最初量产18nm DRAM，谋略2017下半年鼓动至15nm。IHS Markit测度，2017岁尾为止，三星谋略把18nm DRAM的坐褥比重抬高至30%。DRAM第三大厂美光搏命追逐，谋略另日两三年砸下20亿美元，研发13nm DRAM造程。美光正在日本广岛厂增设无尘室修筑，并添置了众项高价坐褥仪器。进入13nm造程之后，坐褥力将抬高20%。美光2017年主假如抬高18nm DRAM产量。
SK海力士4月已向客户供应18nm DRAM工程样品，计算先量产PC用的18nm DRAM，接着再进入转移修筑用的18nm DRAM，估计于第3季进入量产阶段。SK海力士会优先抬高21nm造程良率，再慢慢转向18nm。SK海力士揭露，公司正正在研发1ynm DRAM造程，量产时代还不确定。别的，三星将扩充华城厂Fab 17产线nm等第的DRAM。三星已示知修筑厂扩产谋略，测度投资金额约为2.5兆~3兆韩元，落成后每月增产3.5万片晶圆，预订2017年下半进入初期坐褥阶段。
美光正式颁发了全新任职器内存产物——Crucial 128GB DDR4 LRDIMM，这也是美光迄今为止容量最大的任职器内存。据先容，美光128GB DDR4 LRDIMM内存支柱虚拟化和内存数据库时间，而且针对Intel Xeon系列管造器实行了出格优化，数据传输速率高达2666MT/s。 美光透露，128GB DDR4 LRDIMM内存都过程了34个流程的上百次耐用性测试，大个人测试项目都连接了详细的任职器利用场景。于是，官方将为这些内存产物供应有限的终生质保允许。 依照预订谋略，美光128GB DDR4 LRDIMM内存将于本年第三季度正式推出。
