镁光_电子产品世界镁光公司NAND闪存商场开采部分的司理Kevin Kilbuck克日泄露镁光安放来岁将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他显示镁光本年年中将发轫批量坐蓐25nm制程NAND闪存芯片，并将于来岁转向更高级其它制程。他并显示镁光也安放开采己方的电荷逮捕型(charge trap flash (CTF))闪存本领，以庖代现有的浮栅型( floating-gate)NAND闪存本领。 Killbuck还向Digitimes网站显示，镁光的新款NAND闪存芯片将服从新的EZ-NAND楷模。目
镁光公司与其协作伙伴南亚公司近来公然揭示了其协作开采的42nm制程2Gb DDR3内存芯片产物，两边并扬言下一代30nm制程级其它同类产物一经正在镁光设正在Boise的研发中央发轫研制。 两家厂商估计将于本年第二季度发轫42nm 2Gb DDR3内存芯片的试样坐蓐，并将于本年下半年发轫量产这种产物。 两家厂商扬言其42nm制程DDR3内存芯片产物的事务电压仅1.35V把握，比前代产物的1.5V事务电压低了不少，可节约30%电能。 这款42nm 2Gb
镁光刚才布告了其34纳米NAND SSD产物线Gbps的SATA兴办惹起了通常戒备，镁光泄露它将被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下宣告。 这款SSD全部型号RealSSD C300，2.5寸外形策画，包括128和256GB两种型号，读取速率高达355MB/s,写入速率达215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。估计将面向北美、英邦和欧洲大陆宣告，128GB版售价大约450美元。
正在本月22日召开的一次电话集会上，镁光公司声称他们很疾便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产物，并对其举办取样测试。尽量镁光没有泄露这种2xnm制程的全部规格数字，但外界以为他们很大概会于来岁头揭橥相合的细节信 息。如此，镁光及其NAND本领的协作伙伴Intel公司很有心愿正在来岁操纵这种新制程本领，甩开敌手三星和东芝，从新回到领先环球NAND修制本领的宝 座上。目前Intel和镁光两家公司合伙创立有一家特意掌握NAND交易的IM闪存本领公司。 除了创制闪存芯片除外，Intel和镁光又有出售基
镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片一经进入试样阶段，MLC局限的存储密度可达32Gb，写入寿命达3万次，是平时MLC产物的6倍;SLC局限存储密度为16Gb，写入寿命同样为3万次，是平时SLC产物的3倍. 镁光这回开采告成的34nm MLC/SLC闪存芯片声援ONFI2.1接口楷模(Open NAND Flash Interface)，数据传输率最高可达200MB/S，并且能够采用闪存封装内部集成众片闪存芯片的封装计划。 镁光显示，来岁头这两种闪存芯片便可正式量产。
克日业界有料到称镁光科技正正在苦求美邦政府助助逛说台湾内存公司（TMC），以便与TMC实现协作干系。TMC将于本月底对外正式揭橥己方的本领协作伙伴。 镁光回嘴了这一料到，他们扬言己方通向TMC项方针大门并没有被封闭，可是他们须要先与己方的台湾协作商南亚洽叙，以争得对方的批准。 TMC掌握人宣明智将正在三月底对外揭橥TMC公司的本领协作伙伴。业界料到他们大概会与日系尔必达与美系镁光两家厂商实现本领协作干系。
