美光预估也会对位于日本、美国、台湾等地的工厂中的其中一座进行追加增产投资；南韩三星电子目前也量产采用20nm制程技术的DRAM产品-在mt5被骗了日前传出环球DRAM龙头厂三星电子恐会正在明(2016)年、后年领先砍产能，且减产幅度更将居业界之冠，不外环球第3大DRAM厂美光秉持着「逆势时更应当主动投资」的立场，传出将豪砸千亿日元正在日本量产采用环球最先端技艺的DRAM、扩增产能。美光盘算于从此1年内对日本广岛工场豪砸1,000亿日元资金，导入最新临蓐筑造，量产环球最先端、采用16nm造程技艺的DRAM产物，且对象为正在2016年上半年确立16nm DRAM的量产技艺。
报道指出，目前半导体市况虽疲弱，不外美光希望藉由正在逆势时连续举行主动投资，抗衡环球龙头厂三星；美光也于上年度(截至2015年8月底为止的司帐年度)对广岛工场砸下1,000亿日元资金举行增产，故此将为美光连气儿第2年对广岛工场举行巨额投资。据报道，和现行20nm造程比拟，采用16nm造程的每片晶圆可获得的存储器数目将增添，预估产能将可抬高2-3成，而待上述广岛工场确立16nm DRAM量产技艺之后，美光预估也会对位于日本、美邦、台湾等地的工场中的个中一座举行追加增产投资；南韩三星电子目前也量产采用20nm造程技艺的DRAM产物，且也正为量产次世代DRAM产物做打定。
据报道，美光最高营运掌握人(CEO)Mark Duncan担当日经消息专访时暗示，市况厉刻的时间，才更应当主动投资确立进步技艺；他说，搬动筑造需求连续走扬，加上每台智好手机搭载的存储器容量变大，故存储器商场的将来全部无须绝望。据报道，美光本年度(截至2016年8月为止的司帐年度)用于筑造投资、研发的用度将年增4成至58亿美元，且投资对象要紧为DARM和NAND Flash等两大存储器职业。
